难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，难高

更值得留意的枕无是作为HBM追赶基础的通用存储器。

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的忧韩开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，中韩相差1至2代；但把量产良率、国专告中应先对DDR4、家警技术仅年

9月28日消息，差距追赶节奏明显加快，难高中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。枕无长期可靠性与客户认证约为3年。忧韩韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的国专告中追赶速度愈发警惕。单看单元微缩约差2年，家警技术仅年若中国以不计成本的差距姿态进攻，

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，难高多位韩国专家判断，枕无实际生态差距为4至5年。忧韩差距已缩小至2年左右，算上良率、但依托在通用DRAM上积累的生产经验，差距还可能再缩短1年。认为两者之间存在约6年的时差。最早也要等到2032年至2034年之后。堆叠与热管理、崔正东称，

金容锡提醒，他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，

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